1ED020I12-BT
1200 V single high-side isolated gate driver IC with UL certification, active Miller clamp, DESAT, short circuit clamping, and two level turn off
1ED020I12-BT is a galvanic isolated single channel gate driver in DSO-16 wide body package that provides an output current capability of typically 2 A. All logic pins are 5V CMOS compatible and could be directly connected to a microcontroller. The data transfer across galvanic isolation is realized by the integrated Coreless Transformer Technology. The 1ED-BT provides several protection features like IGBT desaturation protection, active Miller clamping, active shut down and two level turn off.
特長
- Single channel isolated gate driver IC (1ED-BT)
- For 600 V/1200 V IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs, discrete and modules
- 2 A rail-to-rail typical output current
- Precise DESAT protection, V(cesat) detection
- Active Miller Clamp, two level turn off (TLTOff)
- Active shutdown and Short circuit clamping
- 28 V absolute Max. output supply voltage
- 200/230 ns Max. propagation delay
- 12/11 V output UVLO
- ≥ 50 kV/µs CMTI
- Certified according to UL 1577 with VISO = 3750 V for 1 min
- Basic Isolation tested according VDE 0884-10 VIORM=1420 V, VIOTM=6000 V (standard expired Dec. 31, 2019, product and testing remain unchanged)
利点
- Tight propagation-delay matching: tolerance improves application robustness without variations due to aging, current, and temperature
- Precise, integrated filters reduce propagation-delay variation over a wide range of operating conditions; reduce the need of external filters
- Tight propagation delay allows minimum deadtime improving system efficiency and decreasing harmonic distortion
- Wide body package with 8 mm creepage distance
- Immunity against negative and positive transients, increases reliability of the end product
- Low power losses for switching frequencies into MHz range
推奨アプリケーション例
Please also find our specially designed Evaluation Boards (EVAL-1ED020I12-BT) for 1ED020I12-BT Gate Driver ICs (EiceDRIVER™ Enhanced)
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
- EiceDRIVER™絶縁ゲートドライバ ― ファミリーは、最先端のコアレス トランスフォーマー (CT) 絶縁技術を採用
- CTベースの絶縁型ゲートドライバーは、大電流、低消費電力、優れたCMTI、クラス最高の伝搬遅延マッチングを提供します。
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
SiC(シリコンカーバイド)MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。
- EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ ファミリー (1ED34xx) 、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ミラークランプ、ソフトオフ (電流レベル調整可能) 搭載
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、伝搬遅延マッチング最大30 ns、出力供給電圧最大40 V
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
- EiceDRIVER™ X3デジタル ファミリー (1ED38xx)、DESAT、ソフトオフ、UVLO、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)の I2C設定機能を備えています。
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、30 ns Max. 伝搬遅延マッチング、40 V Max 出力電圧
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。