1ED3127MU12F

概要

アクティブミラークランプを備えた1チャンネル絶縁型ゲートドライバー、10 A、3 kV (rms)、UL1577認証、12 V UVLO

EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバーは、Si MOSFET、Si IGBT、SiC MOSFET 用ゲートドライバーで、DSO-8 ナローボディ パッケージに搭載されており、シンクおよびソースのピーク出力電流10 A (typ.) です。

1ED3127MU12F は、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxv ファミリー (X3 Compactファミリー) のゲートドライバーです。1ED3127 は、アクティブ ミラークランプ、SiC MOSFET に対応した低電圧ロックアウト機能 (UVLO)、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBT を安全にオフ状態にするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピングを提供します。このドライバーは広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラのいずれかで動作させることができます。

特長

  • EiceDRIVER™ Compact 1 チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xx ファミリー (X3 Compact ファミリー)
  • 最大2300 V のSi IGBT、Si およびSiC MOSFET用
  • 2300 V のオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
  • ガルバニック絶縁型コアレストランス ゲートドライバー
  • シンクおよびソースのピーク出力電流 : 10 A (Typ.)
  • 絶対最大出力電源電圧：40 V
  • 伝搬遅延 (30nsの入力フィルター付き) : 90 ns
  • 高いコモンモード過渡耐性: CMTI  > 200 kV / μs
  • アクティブ ミラー クランプ
  • 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
  • DSO-8 150 mil ナローボディ パッケージ
  • ヒステリシス付き12 V / 14.2  V 低電圧ロックアウト (UVLO) 保護

利点

  • 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
  • IC間ターンオン伝搬遅延マッチングがタイトで (最大7 ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現
  • 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
  • UL1577 VISO = 3.6 kV (rms) / 1秒、 3.0 kV (rms) / 1分
  • 部品間の伝搬遅延マッチング (最大15 ns) により、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
  • 正確な閾値とタイミング、UL1577 の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現

EiceDRIVER™ Compact 1ED31xx ファミリー (X3コンパクトファミリー) 製品を検索

品番 電流 (typ.) 特長 UVLO 絶縁証明

1ED3124MU12F

 14 A セパレート出力

10.5/12.5 V

UL 1577

1ED3125MU12F

 10 A

アクティブミラークランプ

10.5/12.5 V

UL 1577

1ED3127MU12F

 10 A アクティブミラークランプ

12/14.2 V

UL 1577

1ED3140MU12F

 6.5 A セパレート出力

8.6/9.3 V

UL 1577 

1ED3141MU12F

 6.5 A セパレート出力

11.1/12 V

UL 1577

1ED3142MU12F

 6.5 A セパレート出力

12.6/13.6 V

UL 1577 
図
サポート