1ED3321MC12N - Infineon Technologies

概要

8.5 A, 5.7 kV (rms) 1チャンネル絶縁ゲートドライバー、短絡保護、アクティブミラークランプ、ソフトオフを搭載、UL 1577 & VDE 0884-11認定

EiceDRIVER™ 1チャネル強化絶縁型ドライバー - 沿面距離8mmのDSO-16ワイドボディパッケージ搭載、ソース電流およびシンク電流 +6 A / -8.5 A (typ.)、IGBT/MOSFET/SiC MOSFET向け

1ED3321MC12Nは、EiceDRIVER™ 1ED332xファミリー (F3ファミリー) に属しています。1ED3321は、IGBTおよびSiC MOSFET用に短絡保護 (DESAT) を提供します。本ドライバICは、ソース出力とシンク出力の分離、広い入力電圧、ユニポーラ/バイポーラ動作、部品間の伝搬遅延マッチングを備えています。

特長

EiceDRIVER™ Enhanced 1チャネル絶縁型ゲートドライバ 1ED332xファミリー (F3 Enhanced ファミリー)
最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能
ガルバニック絶縁型コアレストランスフォーマ搭載のゲートドライバー
+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流
フォールト出力による高精度VCEsat検出 (DESAT)
非飽和検出後のソフトターンオフ
40 Vの絶対最大出力電源電圧
伝搬遅延 85 ns (35 ns入力フィルタ使用時)
高いコモンモード過渡耐性 CMTI >300 kV/μs
ソース出力とシンク出力の分離
短絡クランプ、アクティブシャットダウン
アクティブミラークランプ
DSO-16 300 mil ワイドボディパッケージ、長い沿面距離 (>8 mm)
低電圧保護(UVLO) 11V/12V (ヒステリシス特性)

利点

フィルターを内蔵しているため、外部フィルターが不要
高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
UL 1577 VISO = 6.8 kV (rms)/1秒、7 kV (rms)/1分
IEC 60747-17/VDE 0884-11でVIORM=1767 V (ピーク絶縁、強化絶縁)
部品間の伝搬遅延マッチング (最大15ns) により、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現歪み
正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
高い絶縁性により、1700V駆動のインバータアプリケーションに使用可能

Find our variations for EiceDRIVER(TM) Enhanced 1ED332x family (F3 family)

Part No	Typ. Current	Feature	UVLO	Isolation Certification
1ED3320MC12N	6 A	DESAT, Miller Clamp, Separate output, soft-off	11/12 V	UL 1577 & VDE-11
1ED3321MC12N	8.5 A	DESAT, Miller Clamp, Separate output, soft-off	11/12 V	UL 1577 & VDE-11
1ED3322MC12N	8.5 A	Short-circuit detection, Miller Clamp, Separate output	12.6/13.6 V	UL 1577 & VDE-11
1ED3323MC12N	8.5 A	Short-circuit detection, Miller Clamp	11/12 V	UL 1577 & VDE-11