1ED3461MU12M
5.7kV、6Aシングルチャネルの絶縁型ゲートドライバ。アクティブミラークランプ、調整可能なDESAT、ソフトオフ付き UL1577
EiceDRIVER™ Enhanced シングルチャネルは、IGBTs, MOSFETs、SiC MOSFETs向けの絶縁型ゲートドライバで、±6A(peak)のシンク/ソース電流、沿面距離(>8mm)のDSO-16ファインピッチワイドボディパッケージです。
1ED3461MU12M は、EiceDRIVER™ Enhanced 1ED34xxファミリー(X3アナログファミリー)の製品です。1ED3461は、入力側(ADJAおよびADJBピン)の外付け抵抗によりDESAT(フィルタ時間調整可能)、ソフトオフ(電流レベル調整可能)により容易に設定変更が可能です。このドライバICは、シンク/ソースが個別の出力で、アクティブミラークランプ、フォルト出力、過熱シャットダウンといった保護機能を備えています。
I2C経由でアクセス可能な27のコンフィギュレーション レジスタを備えた1ED3860* (X3 Digital) バージョンも提供しています。
特長
- EiceDRIVER™ Enhancedシングルチャネル絶縁型ゲートドライバ1ED34xx ファミリー(X3アナログファミリー)
- IGBT、SiCおよびSi MOSFET
- ±6A(peak)のシンク/ソース電流
- 出力側最大電源電圧40V
- 個別のソース/シンクピン
- アクティブミラークランプ
- フォルト出力付きの正確なVCEsat検出(DESAT)
- 非飽和検出後IGBTソフトターンオフ
- 入力側からのパラメータ調整:
- ADJBピンで調整可能なDESATフィルタ時間
- ADJAピンで調整可能なソフトオフ電流レベル
- マイクロコントローラへのFLTおよびRDYステータス信号
- ヒステリシス付きの11V/12V低電圧ロックアウト(UVLO)保護
利点
- 160℃(±10℃)で過熱シャットダウン
- 伝搬遅延マッチング(最大30ns)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI>200kV/μs
- 最大125℃の高い周囲温度での動作に適合
- 沿面距離(>8mm)で小型省スペースのDSO-16ファインピッチワイドボディパッケージ
- UL 1577 VISO = 6.84kV(rms)(1秒)、 5.7kV(rms)(1分)
-
少ない外付け部品とソフトオフ付きのDESATにより、高速な設計サイクルとクラス最高のDESAT精度を可能にします。
- 精密なしきい値とタイミング、およびUL 1577認証により優れたアプリケーションの安全性を実現
- 高信頼性DESAT保護を必要とするさまざまなアプリケーションに最適、アクティブミラークランプを活用、PCBの省スペース要件に適合
Find our Variations for EiceDRIVER™ Enhanced 1ED34xx family (X3 analog family)
±3 A | Miller clamp, Resistor adjustable DESAT and soft-off | UL 1577 & VDE-11 | |
1ED3431MU12M | ±3 A | UL 1577 | |
1ED3461MC12M | ±6 A | Clamp driver, Resistor adjustable DESAT and soft-off |
UL 1577 & VDE-11 |
1ED3461MU12M | ±6 A | UL 1577 | |
±9 A |
UL 1577 & VDE-11 |
||
1ED3491MU12M | ±9 A | UL 1577 | |
Part No | Typ. current | Features | Isolation Certification |
![](/export/sites/default/media/eLearning/Industrial/gate_drivers/EiceDRIVER-1ED34x1Mc12M-E2/Eicedriver-1ED34.jpg_1779873395.jpg)
- The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
![](/export/sites/default/media/eLearning/Industrial/gate_drivers/EiceDRIVER-Enhanced-1ED38x0MC12M-digital-gate-driver-/1ED38x0MC12M.jpg_1780796916.jpg)
- The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます:お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。