1EDI20I12MF
ミラークランプおよび短絡クランプ付き1200 V/4.4 Aシングルチャンネル絶縁型ゲートドライバー
EiceDRIVER™ Compactは、IGBT、MOSFET、SiC MOSFET向けで、沿面距離4 mmのDSO-8ナロー パッケージに搭載されています。4.1/4.4 Aの標準シンク/ソース ピーク出力電流のコンパクトなシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバーです。
1EDI20I12MFは、EiceDRIVER™ 1ED Compact 150milファミリ（1ED-MFファミリ）に属します。1EDI20I12MFは、アクティブミラークランプを搭載し、240 ns入力フィルタ、正確で安定したタイミングを提供します。
特長
- EiceDRIVER™ Compact 1チャネル絶縁型ゲートドライバー
- 600 V、650 V、1200 VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流: 4.4 A (typ.)
- 絶対最大出力電源電圧: 20 V
- 伝搬遅延 (20nsの入力フィルター内蔵): 300 ns
- 高いコモンモード過渡耐性: CMTI > 100 kV/μs
- アクティブミラークランプ
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 150milナローボディ パッケージ、沿面距離4 mm
- ヒステリシス付き10.5 V/12.7 V 低電圧ロックアウト(UVLO)
利点
- 寄生ターンオンを防止するアクティブ ミラークランプ、CoolSiC™ SiC MOSFETおよびTRENCHSTOP™ IGBT7の駆動に最適
- 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
- 広い入力電圧動作範囲
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- マイクロコントローラーとドライバー間の信号電圧レベルの調整が不要
- 出力チップが電源に接続されていない場合に安全なIGBTオフ状態を保証するアクティブ シャットダウン
- 短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピング
- EiceDRIVER™ 1ED Compact now including X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
