1EDI3050AS | EiceDRIVER™ 1EDI3050ASは、IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載品質のシングルチャネル高耐圧ゲートドライバーです。

概要

EiceDRIVER™ 1EDI3050ASは、インフィニオンのコアレストランス技術を使用して電気的に絶縁されています。包括的な機能安全機能とISO 26262準拠により、システムレベルのASIL D対応が可能になり、不随される機能安全の資料によりFMEDA分析が容易になります。SPIによる幅広い仕様調整範囲により、プラットフォーム開発が可能になります。内蔵された高精度フライバックコントローラーは、電源構成を最適化し、パワーデバイスの導通損失を削減することができます。

特長

最大1200 VのIGBT/SiC-MOSFET用
内蔵SPI機能
CMTI 最大150 V/ns 最大1000 V
6.8 kV強化絶縁 (DIN VDE)
内蔵高出力駆動段(最大20 Aピーク)
フライバックコントローラー内蔵（2% acc.）
1次側・2次側双方に安全入力を搭載
伝達遅延60 ns (typ.)
内蔵デュアル12ビットADC
冗長DESATおよびOCP保護
パワーデバイスのゲートとドライバーの出力段の監視
ISO26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応

利点

幅広い仕様調整範囲
容易なプラットフォーム開発
最高のシステム効率をサポート
外部絶縁電源の削減
システムレベルでASIL Dをサポート
容易なFMEDA解析
容易なシステム機能安全構成
AEC-Q100準拠
コンパクトなDSO-36ファインピッチパッケージ

推奨アプリケーション例

機能安全資料

ご登録いただくと、無料の機能安全の資料（機能安全マニュアル、機能安全解析レポート、包括的なISO 26262サポート資料など）にアクセスできます。

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製品バリエーション	運転者サポート	付加機能
1EDI3020AS	IGBT	温度ダイオード用ADC
1EDI3021AS	IGBT	アクティブショートサーキット
1EDI3023AS	IGBT	NTCおよびDC-Link用ADC
1ED13030AS	SiC MOSFET	温度ダイオード用ADC
1EDI3031AS	SiC MOSFET	アクティブショートサーキット
1EDI3033AS	SiC MOSFET	NTCおよびDC-Link用ADC
1EDI3050AS	IGBT / SiC MOSFET	SPI調整機能
1EDI3051AS	IGBT / SiC MOSFET	SPI調整機能および並列パワーデバイス監視＆クランピング