1EDI60N12AF
ソース/シンク別出力で短絡クランプを備えた耐圧1200 V、のシングルチャネル ゲートドライバー
EiceDRIVER™ コンパクトな1200Vの1チャンネル絶縁型ゲートドライバーで、ピーク出力電流が9.4/10 (代表値) で、MOSFETの沿面距離が4mmのDSO-8狭小パッケージに収められています。
1EDI60N12AFは、EiceDRIVER™ 1ED Compact 150milファミリー (1ED-AFファミリー) の製品です。ソース/シンク別出力、入力フィルタ時間40 ns、正確で安定したタイミングという特長を備えています。幅広い電源電圧範囲で動作し、ユニポーラまたはバイポーラのいずれのモードでも動作します。
特長
- EiceDRIVER™ Compact シングルチャネル 絶縁ゲート ドライバーファミリー
- 600 V、650 V、950 VのMOSFET向け
- ガルバニック絶縁を備えたコアレストランスフォーマーゲートドライバー
- 10A (Typ.)のソース電流およびシンク電流
- 絶対最大出力電圧 40 V
- 伝搬遅延120 ns (入力フィルタ 40 ns内蔵)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI>100kV/μs
- 独立したソース/シンク出力
- 短絡クランプとアクティブシャットダウン
- 沿面距離 4 mmのDSO-8 150milワイド-ボディパッケージ
- ヒステリシス付き8 V／10 V低電圧ロックアウト(UVLO) 保護
利点
- 650 V CoolMOS™ C7、P6全製品および他のスーパージャンクションMOSトランジスターに最適
- SMPSなど、最大4 MHzまでの高速スイッチングアプリケーション
- 内蔵フィルタにより外付けフィルタ不要
- 高い周囲温度および高速スイッチングアプリケーションでの動作に適合
- マイコンとドライバー間で信号の電圧レベルを合わせる必要がない
- 出力チップが電源に接続されていない場合にアクティブシャットダウンで安全なIGBTのオフ状態を確保
- 短絡発生時に短絡クランプでゲート電圧を制限
- EiceDRIVER™ 1ED Compact now including X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
Silicon Carbide MOSFETs bring a lot of opportunities to power electronics. However, how to achieve sufficient system benefits by using Silicon Carbide MOSFETs with suitable gate drivers? This training helps you to learn how to calculate a reference gate resistance value for your Silicon Carbide MOSFET; how to identify suitable gate driving ICs based on peak current and power dissipation requirements; and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
