1EDN7136U
概要
GaN SG HEMT/MOSFET用200 VハイサイドTDIゲートドライバーIC
1EDN7136Uは、インフィニオンCoolGaN™ ショットキー ゲート (SG) HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された1チャネル ゲート ドライバーICです。このゲートドライバーは、Truly Differential Input (TDI)、1Aピークソース/シンク電流、アクティブ ミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を設計できる主要な機能を備えています。TDI機能により、ゲートドライバーの出力状態は、同相電圧が150 V (スタティック) および200 V (ダイナミック) 以下であれば、ドライバーの基準 (グランド) 電位に依存せず、2つの入力の電圧差のみによって制御されます。これにより、ローサイドのアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤動作のリスクを排除すると同時に、1EDN7136Uはハイサイドのアプリケーションにも対応します。
特長
- ローサイド、ハイサイド動作時の誤動作を防ぐ完全差動ロジック入力回路を搭載
- ハイサイド動作用に最大±200 Vの高い同相入力電圧範囲 （CMR） を実現
- 同相スルーレート（100 V/ns）に対する高い耐性により、高速スイッチングトランジェント時に堅牢な動作を実現
- 3.3Vまたは5Vの入力ロジックに対応
- 1.5 A ソース/シンク電流容量
- 誘導性ターンオンを避けるための5Aシンク能力のあるアクティブ・ミラー・クランプ
- アクティブ ミラークランプ
- GaN HEMTやSi MOSFETの駆動に最適
- ターゲットアプリケーション向けにJEDECに準拠した品質
利点
- 高速スイッチング遷移時のハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性
- 1EDN71x6xドライバー ファミリーを選択することにより、外部ゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化
- 高速スイッチング遷移時、必要に応じて誘発されるターンオンイミュニティ
- デッドタイム中のブートストラップコンデンサの過充電をなくし、ブートストラップ電圧を安定化
推奨アプリケーション例
サポート
