2ED2101S06F

概要

ブートストラップ ダイオード内蔵650Vハイサイド/ローサイド ゲート ドライバー

DSO-8パッケージ、パワーMOSFETおよびIGBT駆動用650 V高速、ハイサイドおよびローサイド ゲートドライバー: 標準ソース電流0.29 Aおよびシンク電流0.7 A。

インフィニオンのSOI技術を使用した2ED2101S06Fは、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた耐久性とノイズ耐性を備えています。デバイス内に寄生サイリスタ構造が存在しないため、あらゆる温度および電圧条件で寄生ラッチアップが発生しません。

特長

  • 最大動作電圧 (VSノード) + 600 V
  • 100 Vの負のVS過渡電圧耐量
  • 超高速過電流保護回路 (OCP) を内蔵
  • 伝播遅延 90 ns
  • HIN, LINロジック入力
  • フローティングチャネルによるブートストラップ動作
  • 両チャンネルのの独立した低電圧ロックアウト、緻密なUVLOレベル
  • VS端子-11 Vまでロジック動作可能
  • 入力の負の電圧許容は-5V
  • 最大電源電圧25V
  • 3.3V、5V、15V入力ロジック対応

利点

  • ブートストラップダイオード(BSD)内蔵 - 省スペース、BOMコストの削減、PCBの小型化、シンプルな設計で低コストを実現
  • レベルシフト損失を50%低減
  • VS端子の負の過渡電圧に対する優れた耐久性とノイズ耐性

2ED2101 family variations

Part No Package Imput logic Interlock Deadtime
2ED2101S06F

DSO-8

 HIN, LIN

No

 None
2ED2103S06F

DSO-8

HIN, /LIN

 Yes

Internal 520 ns
2ED2104S06F

DSO-8

IN,  /SD

 Yes

Internal 520 ns
図
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