2ED21084S06J

概要

ブートストラップダイオード内蔵、DSO-14パッケージに収容された、650V、0.7A ハーフブリッジゲートドライバ

DSO-14パッケージに収容された、650V ハーフブリッジ高速パワーMOSFETおよびIGBTゲートドライバ、標準0.29Aソース出力電流および0.7Aシンク出力電流。より小型のDSO-8パッケージ版、2ED2108S06Fも提供しています。

インフィニオンのSOIテクノロジーをベースにして、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた堅牢性とノイズ耐性を備えています。デバイス内に寄生サイリスタ構造が存在しないので、すべての温度条件および電圧条件において寄生ラッチアップが発生しません。

特長

  • 最大で+650Vの動作電圧（VSノード）
  • 負のVS過渡耐性100V
  • 超高速低抵抗ブートストラップダイオード内蔵、部品コスト低減
  • フローティングチャネルによるブートストラップ動作
  • 高電圧ピンおよび低電圧ピンの分離により沿面距離および空間距離を最大化
  • ロジックグラウンドと電源グラウンドを分離、ゲートループを短縮
  • 2つのチャネルに、独立した低電圧ロックアウト（UVLO）
  • 200nsの伝播遅延
  • 540nsのデッドタイム内蔵
  • HIN、/LINのロジック入力
  • 最大電源電圧25V
  • VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能
  • 入力において-5Vの負電圧を許容
  • ハイサイド構成でNチャネルMOSFET、SiC MOSFETまたはIGBTをドライブするためにフローティングチャネルを使用可能

利点

  • ブートストラップダイオード（BSD）内蔵 - スペース節約、部品コスト低減、設計簡素化により低コストでPCB小型化
  • レベルシフト損失を50%低減
  • VSピンの負の過渡電圧（-100V）に対する優れた堅牢性とノイズ耐性

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Part No Package Input logic Interlock Deadtime

2ED2106S06F

 DSO - 8 

HIN, LIN

 No None

2ED21064S06J

 DSO - 14 HIN, LIN No

None

2ED2108S06F

DSO - 8

  HIN, /LIN Yes

Internal 540 ns

2ED2109S06F

DSO - 8

  IN,  /SD  Yes  Internal 540 ns

2ED21094S06J

 DSO - 14 IN,  /SD

Yes

Programmable 540 ns - 5000 ns

2ED21091S06F

 DSO - 8 

IN, DT/SD

Yes

Programmable 540 ns - 2700 ns
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