2ED21824S06J
ブートストラップダイオード内蔵、DSO-14パッケージに収容された、650V、2.5A 大電流ハーフブリッジゲートドライバIC
DSO-14パッケージに収容された、650V ハーフブリッジ高速パワーMOSFETおよびIGBTゲートドライバ、標準2.5Aシンクおよびソース出力電流。DSO-8パッケージ版、2ED2182S06Fも提供しています。
インフィニオンのSOIテクノロジーをベースにして、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた堅牢性とノイズ耐性を備えています。デバイス内に寄生サイリスタ構造が存在しないので、すべての温度条件および電圧条件において寄生ラッチアップが発生しません。
特長
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最大で+650Vの動作電圧（VSノード）
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負のVS過渡耐性100V
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超高速低抵抗ブートストラップダイオード内蔵、部品コスト低減
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高電圧ピンおよび低電圧ピンの分離により沿面距離および空間距離を最大化
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ロジックグラウンドと電源グラウンドを分離
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フローティングチャネルによるブートストラップ動作
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デッドタイム（プログラマブル）対応のシュートスルー保護内蔵
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最大電源電圧25V
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2つのチャネルに、独立した低電圧ロックアウト（UVLO）
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200nsの伝播遅延
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HIN、LINのロジック入力
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VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能
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入力において-5Vの負電圧を許容
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ハイサイド構成でNチャネルMOSFET、SiC MOSFETまたはIGBTをドライブするためにフローティングチャネルを使用可能
利点
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ブートストラップダイオード内蔵 - スペース節約、部品コスト低減、設計簡素化により低コストでPCB小型化
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レベルシフト損失を50%低減
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VSピンの負の過渡電圧に対する優れた堅牢性とノイズ耐性
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| Part No | Package | Input logic | Interlock | Deadtime |
| 2ED2181S06F | DSO - 8 | HIN, LIN | No | None |
| 2ED21814S06J | DSO - 14 | HIN, LIN | No | None |
| DSO - 8 | HIN, LIN | Yes |
Internal 400 ns |
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| 2ED2183S06F | DSO - 8 | HIN, /LIN | Yes |
Internal 400 ns |
| 2ED21834S06J | DSO – 14 | HIN, /LIN | Yes |
Programmable 400 ns - 5000 ns |
| 2ED2184S06F | DSO - 8 | IN, /SD | Yes |
Internal 400 ns |
| 2ED21844S06J | DSO – 14 | IN, /SD |
Yes |
Programmable 400 ns - 5000 ns |
