2ED2304S06F

650V EiceDRIVER™ SOIハーフブリッジ・ゲートドライバICは、MOSFETおよびIGBT用ブートストラップダイオードを内蔵し、ソース電流0.36A、シンク電流0.7A、パッケージはDSO8で提供します。

2ED2304S06Fは、インフィニオンの薄膜SOIテクノロジーにより、優れた耐久性とノイズ耐性を実現しています。シュミットトリガロジック入力は、3.3Vまでの標準CMOSやLSTTLロジックと互換性があります。出力ドライバは、ドライバのクロスコンダクション電流を最低限にするよう設計された高パルス電流バッファ段を備えています。 ハイサイド駆動回路は、最高650Vの電圧を印加できるフローティングチャネルになっており、NチャネルパワーMOSFET/IGBTを駆動できます。さらに、オフラインクランプ機能は、フローティングゲート状態により、ICに電源が供給されていない時に発生する寄生ターンオンから保護する固有の保護機能を備えています。