2ED2732S01G ブートストラップダイオード内蔵160 Vハイサイド/ローサイドSOIゲートドライバー

概要

SOI技術を使用したMOTIX™ 160 Vハイサイド/ローサイドゲートドライバー。NチャンネルMOSFETに使用される小型フットプリントVSON10 (3x3 mm) パッケージを採用し、標準1 A のソース電流と2 A のシンク電流です。外付けのハイサイドブート ストラップコンデンサへの供給用ブートストラップダイオード内蔵。保護機能には、VccおよびVBピンの両方に低電圧ロックアウト機能 (UVLO) を備えています。2ED2732は、JEDEC78/20/22に関連するテストに準拠し、産業用アプリケーションに適合しています。

特長

  • ブートストラップ電圧 (VB) +160 V
  • フローティングチャネルによるブートストラップ動作
  • ブートストラップダイオード内蔵
  • ハイサイド、ローサイド共にUVLO搭載
  • 短パルス/ノイズ除去フィルタを内蔵
  • シュミットトリガー入力
  • 3.3 V、5 Vロジック入力対応
  • 小型VSON10 (3×3mm) パッケージ
  • 2.5 kV HBM ESD, RoHS対応

利点

  • 高電力密度
  • 省スペース
  • 高い耐久性と信頼性
  • 優れた熱管理
  • 拡張性
  • シンプルさ (使いやすさ)
図
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