2ED2742S01G ブートストラップダイオード内蔵160 VハーフブリッジSOIゲートドライバー

SOI技術を使用したブートストラップ ダイオード内蔵160 Vハーフ ブリッジSOI ゲートドライバー。NチャンネルMOSFETに使用される小型フットプリントVSON10 (3x3 mm) パッケージを採用し、標準1 A のソース電流と2 A のシンク電流です。外付けのハイサイドブート ストラップコンデンサへの供給用ブートストラップダイオード内蔵。保護機能には、V_ccおよびV_Bピンの両方に低電圧ロックアウト機能 (UVLO) を備えています。2ED2742は、JEDEC78/20/22に関連するテストに準拠し、産業用アプリケーションに適合しています。