6ED2230S12C 1200 V/0.65 A ブートストラップダイオード、過電流保護を内蔵した三相ゲートドライバーICベアダイ

概要

EICE-DDRIVER™ 1200V三相ゲート ドライバーは、ウエハ オン フィルムを使用し、ソース電流0.35 A、シンク電流0.65 Aです。6ED2230S12Cは、インフィニオンの1200 V SOI技術を活用することで、低オン抵抗内蔵ブートストラップ ダイオード (BSD) や、最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供します。約6 kWまでの設計に対応します。サンプルウェハのご購入については、弊社営業所までお問い合わせください。

特長

  • 1200 V 薄膜SOI技術
  • 超高速のブートストラップダイオードを内蔵
  • -100Vの負の過渡電圧耐量
  • 出力ソース/シンク電流容量 +0.35 A/ 0.65 A
  • 過電流保護 (+/- 5%)
  • デッドタイム保護回路内蔵
  • シュートスルー保護回路
  • VCCとVBSに独立した低電圧保護回路を内蔵
  • フォールト クリア、イネーブル機能を同一端子で実現
  • 全チャネルのマッチング伝搬遅延時間
  • 3.3 V、5 V、15 Vの入力ロジック

利点

  • BSダイオード内蔵によるコスト削減
  • 負のVS過渡耐性100 Vによる高い信頼性の実現
  • レベルシフトの電力損失を50%低減
  • 保護機能内蔵によるコスト削減
  • 低電圧保護 (UVLO)
図
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