6ED2230S12T
ブートストラップと過電流保護を内蔵した、DSO-24パッケージの1200 V、0.65 A、三相ゲートドライバー
DSO-24リードパッケージ 1200V IGBTディスクリート/IGBTモジュール用EiceDRIVER™ 三相ゲート ドライバー: 標準ソース電流0.35Aおよびシンク電流0.65A。
6ED2230S12Tは、インフィニオンの1200 V 薄膜SOI (シリコンオンインシュレータ) 技術を活用することで3つの低オン抵抗内蔵ブートストラップダイオードや、業界最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供します。
6ED2230S12Tは、三相アプリケーション向けに3つの独立したハイサイドおよびローサイドの出力チャネルを備えた高耐圧、高速IGBTゲートドライバーです。
6ED2230S12Tは、DSO-24パッケージに、高速で正確なフォールト出力 (±5%) を行う過電流保護、シュートスルー保護、低電圧ロックアウト (UVLO) などの保護機能を搭載しています。DSO-24 (4ピンを取り除いたDSO-28) パッケージは,小型ICパッケージながら十分な空間距離を確保しています。
6ED2231S12Tは、ローパワーから、外付けバッファ電流ドライバーを追加した場合6kWまでの高い電力レベルに適しています。EasyPACK 1B や EasyPACK 2B などのインフィニオン IGBT/SiC モジュールと組み合わせることで、性能、小型化、コストにおいて最適なバランスを実現します。EVAL-EVAL-M1-6ED2230-B1で明確に実証されています。
6ED2230S12Tは、1200VレベルシフトのJI (ジャンクション絶縁) ゲートドライバーの製品ファミリーに属します。
特長
- 1200 V薄膜SOI技術
- 超高速のブートストラップダイオードを内蔵
- SOI技術による-100Vの負の過渡電圧耐量 (最大パルス幅 700ns)
- 出力ソース/シンク電流容量 +0.35 A/-0.65 A
- 過電流保護 (ITRIP +/- 5% リファレンス)
- 460 nsのデッドタイム保護機能を内蔵
- シュートスルー (クロス導通) 保護
- ノイズに強い入力フィルターを内蔵
- VCCとVBSの独立した低電圧ロックアウト
- フォールトレポート、オート フォールト クリア、イネーブル機能を同一端子で実現 (RFE)
- 全チャネルで伝搬遅延が一致
- 入力ロジック 3.3V/5V/15V対応
- DSO-24パッケージ (高い空間距離を確保するため、DSO-28の中で4ピンを削除)
利点
- 内蔵ブートストラップ ダイオードにより、省スペース、BOMコストの削減、よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化を実現
- 100Vの負電圧による信頼性/堅牢性の向上
- レベルシフトロスを50%低減し、低温動作と高信頼性を実現
- ラッチアップ耐量による信頼性の向上
- 高速かつ高精度な過電流保護機能を内蔵し、スイッチの保護のためのディスクリートオペアンプを外付けしたソリューションに比べスペースとコストの削減を実現
- 低電圧時の保護として低電圧誤動作防止機能
- 小型ICパッケージと空間距離のトレードオフに最適なDSO-24パッケージ (DSO-28から4ピンを取り除いたパッケージ)
Part No | Package | Configuration | Io+/- (typ.) | UVLO (on/off) typ. |
---|---|---|---|---|
DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
11.3 / 12.2 V | |
SSOP-24 |
Half-bridge |
2 / 3 A |
9.3 / 10.2 V | |
DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
9.4 /10.4 V | |
DSO-28 |
Three-phase |
0.25 / 0.5 A |
8.2 / 8.6 V | |
DSO-16 |
High- and low-side |
2.0 / 2.5 A |
9.3 /10.2 V |