6ED2231S12T
1200V、IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用三相ゲート ドライバー、ブートストラップダイオード内蔵、DSO-24パッケージ、過電流保護、より緻密なUVLO保護機能を搭載
IGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)/SiC (シリコンカーバイド) モジュールおよびディスクリート用EiceDRIVER™ 1200 V三相ゲートドライバー、DSO-24リードパッケージに、ソース電流 0.35 A (typ.) とシンク電流 0.65 A (typ.)
6ED2231S12T は、インフィニオンの1200 V 薄膜シリコンオンインシュレータ (SOI) 技術を活用することにより3つの低オン抵抗内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や、業界最高クラスの負の過渡電圧スパイクから保護するなど、測定可能な独自の利点を提供します。
6ED2231S12Tは、三相アプリケーション向けに３つの独立したハイサイドおよびローサイドの出力チャネルを備えた高耐圧、高速IGBTゲートドライバーです。6ED2231S12Tは、DSO-24パッケージに、高速で正確なフォールト出力 (±5%) を行う過電流保護、シュートスルー保護、より緻密な低電圧ロックアウト (UVLO) などの保護機能を搭載しています。DSO-24（4ピンを取り除いたDSO-28）パッケージは，小型ICパッケージながら十分な空間距離を確保しています。
6ED2231S12Tは、ローパワーから、外付けバッファ電流ドライバーを追加した場合6kWまでの高い電力レベルに適しています。EasyPACK 1B™ や EasyPACK 2B™ などのインフィニオン IGBT/SiC モジュールと組み合わせることで、性能、小型化、コストにおいて最適なバランスを実現します。EVAL-6ED2231S12TM1で明確に実証されています。
6ED2231S12Tは、1200VレベルシフトのJI (ジャンクション絶縁) ゲートドライバーの製品ファミリーに属します。
特長
- 超高速ブートストラップ ダイオードを内蔵
- SOI技術により-100Vまでの負の過渡電圧耐量 (パルス幅は最大700ns)
- 出力ソース/シンク電流容量 +0.35A/-0.65A
- 過電流保護 (ITRIP +/- 5% リファレンス)
- 460 nsのデッドタイム保護機能を内蔵
- シュートスルー (クロス導通) 保護
- ノイズに強い入力フィルターを内蔵
- VCCとVBSの独立した低電圧ロックアウト、緻密なUVLOレベル
- フォールトレポート、オート フォールト クリア、イネーブル機能を同一端子で実現 (RFE)
- 全チャネルで伝搬遅延が一致
- 入力ロジック 3.3V/5V/15V対応
- DSO-24パッケージ（高い空間距離を確保するため、DSO-28の中で4ピンを削除）
利点
- ブートストラップダイオードを内蔵した三相ゲートドライブで、BOMコストの削減、PCBスペースの縮小、よりシンプルな設計によるコスト削減を実現。
- IGBT/SiCベースのPIM、ディスクリートスイッチ向けに設計の柔軟性を備えた最適化されたゲートドライバー ソリューション
- 100Vの負電圧による信頼性/堅牢性の向上
- レベルシフトロスを50％低減し、低温動作と高信頼性を実現
- ラッチアップ耐量による信頼性の向上
- 高速かつ高精度な過電流保護機能を内蔵し、スイッチの保護のためのディスクリートオペアンプを外付けしたソリューションに比べスペースとコストの削減を実現
- 低電圧時の保護として低電圧誤動作防止機能
- DSO-24パッケージ (DSO-28から4ピンを取り除いたパッケージ) は、小型ICパッケージと空間距離のトレードオフに最適なパッケージです
| Part No | Package | Configuration | Io+/- (typ.) | UVLO (on/off) typ. |
|---|---|---|---|---|
| DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
11.3 / 12.2 V | |
| SSOP-24 |
Half-bridge |
2 / 3 A |
9.3 / 10.2 V | |
| DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
9.4 /10.4 V | |
| DSO-28 |
Three-phase |
0.25 / 0.5 A |
8.2 / 8.6 V | |
| DSO-16 |
High- and low-side |
2.0 / 2.5 A |
9.3 /10.2 V |
