6EDL04N065PR 過電流保護 (OCP)、イネーブル (EN)、フォールトおよびブートストラッブダイオードを搭載 (BSD) した650 Vの三相ゲートドライバー

概要

IGBTおよびMOSFET向けTSSOP-25パッケージ、標準0.165 Aのソース電流、0.375 Aのシンク電流を備えたEiceDRIVER™ 650 V 第2世代3相ゲートドライバー

特長

  • インフィニオンの薄膜SOI技術
  • 最大耐圧+650 V
  • 出力ソース/シンク電流容量 +0.165 A/-0.375 A
  • ブートストラップダイオード内蔵
  • 高い負のVS耐性：最大-50 V
  • 過電流および低電圧検出
  • 設定可能なフォールトクリア時間
  • 上下同時導通防止

利点

  • 最小パッケージソリューション
  • 高効率
  • 信頼性の向上
  • 高耐圧 (650 V)
  • 設計が容易
図
サポート