IRS2007M
概要
VCC&VBSの誤動作を防止する 低電圧ロックアウト機能(UVLO)を搭載し信頼性の高い起動を行う200V ハーフブリッジゲートドライバIC
200V ハーフブリッジゲートドライバIC。MOSFET向けにMLPQ 4x4 14Lパッケージに、ソース電流0.29A (typ.)、シンク電流 0.6Aを備えています。 SOIC-8パッケージ版:IRS2007S
IRS2007は、依存するハイサイド/ローサイド基準の出力チャネルを備えた200V レベルシフト接合絶縁MOSFETドライバです。独自のHVICおよびラッチ耐性CMOSテクノロジーにより、堅牢なモノリシック構造が可能になります。ロジック入力は、標準のCMOSまたはLSTTL出力(3.3Vロジックまで)と互換性があります。出力ドライバは、ドライバの相クロス導通を最小限に抑えるよう設計された高パルス電流バッファ段を備えています。フローティングチャネルを使用して、最大200Vまで動作するハイサイド構成のNチャネルパワーMOSFETを駆動できます。伝播遅延が一致しているため、高周波アプリケーションでのHVICの使用を簡素化します。
特長
- IO+ / I O-の290mA / 600mA標準ゲート電流
- ゲート駆動電圧最高20V/チャンネル
- VCC、VBSのための独立した低電圧ロックアウト
- 3.3V、5V、15Vの入力ロジック互換
- 負の過渡電圧に対する耐性
- ブートストラップ電源での使用を目的に設計
- クロス導通の防止ロジック
- 両チャンネル向け適合伝搬遅延
- 160/150nsの伝播遅延
- 内部セット・デッドタイム
- HIN入力と同相のハイサイド出力
- LIN入力と同相のローサイド出力
- 動作温度 -40°C~125°C
- 2kV HBM ESD
- RoHS準拠
利点
- 小型パッケージ、BOMコスト削減、シンプルな設計で低コストの小型PCB
- 異常動作時の保護、確かな起動動作
- 使いやすく簡単なデザイン
- 高いエネルギー効率
- 高速で信頼性の高いスイッチング
製品展開詳細
図
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