Junction isolated (JI) Gate Driver ICs
IGBTおよびMOSFET用JIレベルシフト高電圧ゲートドライバIC
pn接合分離（JI）テクノロジーは、成熟した実証済みの業界標準MOS／CMOS製造技術です。インフィニオン独自の高電圧集積回路（HVIC）およびラッチ耐性のあるCMOSテクノロジーにより、堅牢なモノリシック構造を実現しています。先進的なプロセスによって、特定のモータ制御およびスイッチング電源アプリケーション向けに最適な価格性能比で、モノリシックの高電圧および低電圧回路構造を実現します。
JIレベルシフト高電圧ゲートドライバICファミリーは、過電流保護、シャットダウン、障害レポート、イネーブル、オペアンプ、非飽和検出、プログラマブルデッドタイム、シュートスルー保護、シンク出力とソース出力の分離、低い UVLO（5V）、自励発振などの高度な機能を備えています。
インフィニオンは、産業用および車載適合の接合分離（JI）ゲートドライバICも提供しています。
高電圧集積回路（HVIC）テクノロジーについては、1989年にインターナショナル・レクティファイアーが世界に先駆けて最初のモノリシック製品を発表したことを受けて、特許取得済みの独自モノリシック構造を使用した、ブレークダウン電圧700V超および1400V、動作オフセット電圧600Vおよび1200Vのバイポーラ、CMOSおよびラテラルDMOSデバイスがあります。
このミックストシグナルHVICテクノロジーを利用して、高電圧レベルシフト回路、低電圧アナログおよびデジタル回路を同時に実装することができます。同じシリコン上に、他の低電圧回路から隔離して、600Vまたは1200Vを「フローティング」する高電圧回路を配置可能（「良好に」形成された多結晶シリコンのリング内）なので、たとえばバック、同期ブースト、ハーフブリッジ、フルブリッジ、三相など、多くの一般的なオフライン回路トポロジにおいて、ハイサイドパワーMOSFETまたはIGBTが使われています。
これらのフローティングスイッチ付きHVICゲートドライバは、ハイサイド、ハーフブリッジ、三相構成を必要とするトポロジに最適です。
ご興味があると思われる情報
推奨ドキュメント
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
インフィニオンは、シリコンオンインシュレータ（SOI）および接合分離（JI）テクノロジーによる、レベルシフト高電圧ゲートドライバの膨大なポートフォリオを提供しています。インフィニオンのSOIゲートドライバのメリット：内蔵ブートストラップダイオード、低いレベルシフト損失、省スペース、コスト削減、負のVS堅牢性をご確認ください。
