CoolSiC™ Hybrid IGBT ディスクリート
スイッチング損失の大幅低減を実現するコスト効果の高いパワースイッチ
IGBTとSiCショットキー バリアダイオードを還流ダイオードとして使うことにより、従来のIGBTディスクリート製品と比べ、Eonやスイッチング損失を大幅に低減できます。
650V TRENCHSTOP™5 IGBTデザインは、時間をかけず簡単にHybrid CoolSiC™ IGBTにアップグレードすることができ、効率がスイッチング周波数10kHzごとに0.1%向上します。ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージのCoolSiC™ハイブリッド ディスクリートを使用することで、スイッチング損失はさらに低減し、効率が向上します。
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新しい650V Hybrid CoolSiC™ IGBTは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™5 IGBT技術と、ショットキーバリアCoolSiC™ダイオードのユニポーラ構造が持つ主な利点を併せ持つ製品です。
特長 | 強み | 利点 |
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ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージ
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In this training, we will show you step by step where and how to access Infineon SPICE and PLECS simulation models for its discrete IGBTs and CoolSiC™ products.
We will also show how to use these models and tools in an offline and online simulation.
![](/export/sites/default/media/eLearning/GIP/Simulation-models-and-tools-Module-2/Simulation_Tools_II_Cover.png_1779873395.png)
In this training, we will show you step by step where and how to access Infineon PLECS simulation models for its discrete IGBTs and CoolSiC™ products as well as online simulation tools.
We will also show you the differences between hard and soft switching models.