IHW50N65R6

概要

モノリシックに集積されたTO-247パッケージの650V/50A IGBT

TO-247パッケージの逆導通型R6 650V/50A IGBTは、ハーフブリッジ共振トポロジーを用いた誘導加熱アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。

最高のシステム性能と、既存のゲートドライバーソリューションとの高い互換性により、650V R6 IGBTはソフトスイッチングトポロジーに最適な選択肢となります。

特長

  • きわめて低いVCEsatおよびEoff
  • 高い堅牢性と安定した温度特性
  • VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能
  • 周波数 20～75 kHz
  • 低EMI
  • ばらつきが非常に小さいパラメータ分布
  • 最大動作温度 Tj=175℃

利点

  • IGBTの損失を最小限に抑え、高いシステム効率で高出力化を実現
  • 従来のR5製品ラインナップとの容易な置き換えが可能
  • 高いデバイス信頼性
  • 良好なEMI特性
図
トレーニング

RC-H6 650 V Reverse Conducting IGBT

This training introduces RC-H6 650 V Reverse Conducting IGBT technology for half-bridge induction cooking.

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