IKZA50N65RH5
概要
SiCショットキーダイオードを搭載した650 V/50 A IGBTディスクリート
650 V、50 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT と半電流定格の第 6 世代SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™ ショットキー バリアダイオードをケルビンエミッタ TO-247-4 パッケージに一緒に封止したものです。
超高速650 VハードスイッチングTRENCHSTOP™ 5 H5 IGBTは、スイッチング速度30 kHz以上で、非常に低いスイッチング損失を実現しています。
超高速TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBTと半電流定格フリーホイールSiCショットキー バリア ダイオードの組み合わせで、スイッチング損失を大幅に低減しています。 CoolSiC™ ハイブリッド ディスクリートを組み合わせることで、総スイッチング損失をかつてないほど低減し、スイッチング周波数を大幅に向上させることができます。
ケルビン端子を持つTO-247 4ピンパッケージは、ゲートエミッタ制御ループのインダクタンスを大幅に低減し、スイッチング性能をさらに向上させます。
特長
- TRENCHSTOP™ 5とCoolSiC™ ダイオード技術の組み合わせにケルビンエミッタパッケージを使用することにより、超低スイッチング損失を実現
- 非常に低いオンステート損失
- ハードスイッチング トポロジーにおける優れたスイッチング効率
- 4ピンパッケージの最適化されたピン配列によるプリント基板設計の簡素化
- ターゲットアプリケーション向けJEDEC規格認証
- 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
- JEDEC 47/20/22の関連テストにより、産業用アプリケーションとして認定済み
利点
- 高いレベルの効率
- 高い電力密度
- 既存の純粋なシリコンデバイスをプラグ&プレイで交換可能
- 既存の設計から容易にアップグレードできるため効率が向上
- 冷却の手間を軽減
- 並列接続に最適
図
サポート