DD450S45T3E4_B5 4500 V/450 A ダイオード IGBT モジュール

概要

XHP™ 3 4500 V/450 AダイオードIGBTモジュール：エミッタ制御C4ダイオード搭載、強化絶縁10.4 kV。IGBTモジュールFF450R45T3E4_B5との組み合わせを想定しています。

特長

  • 高いDC安定性
  • 高い短絡耐量
  • 低スイッチング損失
  • 低 VCEsat
  • 比類のない堅牢性
  • Tvj op=150°C
  • AlSiCベースプレートでCTが向上
  • CTI値 600超のパッケージ
  • 火災防護規格 EN45545 R22, R23, R24: HL2

利点

  • 低インダクタンスモジュール
  • クリーンな電気設計が可能
  • クリーンな機械設計が可能
  • 3レベルNPC1トポロジーの容易な設定
  • 並列構成のセットアップが容易
  • 少ない手順、優れたスケーラビリティを実現
  • さまざまな電力レベルへの適合性が向上
  • スムーズなロジスティクスと在庫管理
  • システムレベルでの小型化が可能
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