FF450R33T3E3_B5 3300 V 450 A デュアル IGBTモジュール
概要
特長
- DC電圧の高い安定性
- 高い短絡耐量
- 低いスイッチング損失
- 低いVCEsat
- きわめて高い堅牢性
- Tvj op=150°C
- 正温度係数VCEsat
- AlSiCベースプレートの高い温度サイクル耐量
- CTI(比較トラッキング指数)>600のモジュールパッケージ
- 絶縁ベースプレート
利点
- 1つのハイパワープラットフォームで柔軟性と拡張性を提供
- 高電力密度、最適化されたフレームサイズ
- 高い信頼性、長期サービス寿命
- システムコスト削減
- 低インダクタンス
図
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