FF800R12KE7_E 1200 V, 800 A common emitter IGBT module

概要

62 mm 1200 V, 800 A common emitter low sat & fast trench IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7 and emitter controlled diode.

特長

  • Highest power density
  • Best-in-class VCEsat
  • Tvj op = 175°C overload
  • High Creepage and Clearance Distances
  • Isolated base plate
  • Standard housing
  • RoHS compliant
  • 4 kV AC 1 min Insulation
  • Package with CTI > 400
  • UL/CSA Certification with UL1557 E83336

利点

  • Existing packages with higher current capability, allows to increase inverter output power with same frame size
  • Highest power density
  • Avoidance of paralleling of IGBT modules
  • Reduced system costs by simplification of the inverter systems
  • Flexibility and ready for three-level configuration
  • Highest reliability
図
トレーニング

TRENCHSTOP™ IGBT7

本トレーニングでは、TRENCHSTOP™ IGBT7の主な特徴と技術的な利点に焦点を当ててご紹介します。また、産業用ドライブアプリケーション向けのIGBT7の既存製品および計画中の製品ラインアップについてもご紹介します。

サポート