FZ825R33HE4D 3300 V 825 A シングルスイッチ IGBTモジュール
概要
TRENCHSTOP™ IGBT4及びエミッタ制御4ダイオード搭載 IHV-B 3300V/825A 130 mmシングルスイッチIGBTモジュール。
特長
- 高いDC電圧耐量
- クラス最高の短絡耐量
- 低いスイッチング損失
- Tvj op = 150°C
- 正の温度係数を持つVCEsat
- 熱サイクル能力を高めるAlSiCベースプレート
- CTI > 600のパッケージ
- 絶縁ベースプレート
- IGBTより30%高いダイオード電力
利点
- 圧倒的な堅牢性
- 標準パッケージ
- 自社IGBT3および競合他社製品の2倍のパワーサイクル耐量を持つ 3.3 kV IHV
- FZ1000R33HE3とFZ800R33KF2Cをはじめ、3.3 kV/800～1000A の競合デバイスから簡単に置き換えることができ、高性能でパッケージに互換性があります。
- 大型ダイオードの採用により、トラクション用途での制動力の向上などを実現
図
サポート
