650V CoolMOS™ CFD2

概要

高速ボディダイオードを搭載し、効率と耐久性を両立

大電力の電力変換における最近の傾向としては、より高い電力密度を目指す方向へと向かっています。高電力密度を実現する最良の方法は、ターンオン損失をなくしてより効率性を高められる、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）あるいはゼロ電流スイッチングなどの共振型スイッチングトポロジを採用することです。

製品
詳細

Features, benefits and applications of 650V CoolMOS™ CFD2 power MOSFET

主な特長

  • 市販品では初の高速ボディダイオード内蔵 650Vテクノロジー
  • ハードコミュテーション時の電圧オーバーシュート抑制
  • 600V CFDと比べてQgを大幅に低減
  • R DS(on)最大値とRDS(on)標準値の幅を低減
  • デザインインが容易
  • 600V CFDテクノロジーと比べて低価格

主な利点

  • 低いQrr により、ボディダイオードでの反復的整流時のスイッチング損失が少ない
  • di/dt および dv/dtの自己抑制
  • 低いQoss
  • ターンオン遅延時間およびターンオフ遅延時間の低減
  • 優れたCoolMOS™品質

主なアプリケーション

CoolMOS™ CFD2は、高速ボディダイオードを搭載したインフィニオンの最新シリーズです。高効率を実現する必要がありながら高い信頼性や使いやすさでも妥協が許されない、テレコム市場やサーバ市場などの大電力アプリケーションに最適な製品です。

迅速なデザインインを可能にする最高の使いやすさ

CoolMOS™ CFD2は電圧オーバシュートやリンギングが非常に少なく、使いやすい製品です。低いゲートスパイクや200Vの高い余裕安全率により、迅速なデザインインが可能で、リンギングをさらに制御する必要もありません。

中程度の負荷から大きな負荷まで高効率

CoolMOS™ CFD2は、中程度から大きな負荷までの重要な負荷範囲で、競合する製品よりも効率性を最大0.6%高めます。

極めて低い逆回復電荷と逆回復時間で最高の信頼性を実現

ハードコミュテーションはZVSトポロジで有効であり、優れた高速ボディダイオードの性能が必要になります。これは主に、低いQ rr（逆回復電荷）とT rr（逆回復時間）によって決まります。 

CoolMOS™ CFD2の高速な逆回復は、設計者に以下の利点をもたらします。

  • ボディダイオードが完全に回復しないあいだ、デバイスへのストレスを低減する
  • 設計する際にハードコミュテーションの繰り返しに対して余裕安全率を余分に確保でき、結果的にデザインインの手間を省く

推奨ドキュメント

Button-Infineon-PowerandSensing-SG

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