600V および 650V の CoolMOS™ G7

概要

インフィニオンテクノロジーズは、底面冷却TOリードレス（TOLL）で表面実装（SMD）の600VおCoolMOS™ C7 Gold（G7）テクノロジーを提供します。現在、600V CoolMOS™ G7ファミリーは、インフィニオンの革新的な最新型上面冷却パッケージである Double DPAK (DDPAK) パッケージでも提供しています。

CoolMOS™ G7は、改良された600Vお CoolMOS™ C7テクノロジー、4端子ケルビンソース機能、熱伝導率が改善されたTO リードレスおよびDDPAKパッケージのメリットをすべて集めた初めての製品として提供します。これにより、3kWまでの力率改善（PFC）などの大電流ハードスイッチングトポロジをSMDソリューションで構成できます。さらに600V CoolMOS™ G7 は、ハイエンドLLCなどの共振回路にもご利用いただけます。

お客様にとっての主なメリットとしては、改良されたCoolMOS™ G7 テクノロジーによる高効率化、パッケージの低寄生ソースインダクタンスによるスイッチング速度の向上、4端子ケルビンソース、小さいフットプリントでオン抵抗（R DS(on)）が低減することによる電力密度の向上、SMDの採用による組立時間の短縮とそれに伴う生産コストの削減があります。

製品

詳細

600V CoolMOS™ G7 power MOSFETs - お客様の利点

新しいCoolMOS™ G7 テクノロジーによる高効率化、パッケージの低寄生ソースインダクタンスによるスイッチング速度の向上、4ピンケルビンソース
熱またはR _DS(on)要件に応じて新TOパッケージの採用（高さの制限）、またはSMDパッケージの並列接続により、小フットプリントでオン抵抗（R _DS(on)）を低減することによる電力密度の向上
SMDの採用による組立時間の短縮と、それに伴う生産コストの削減

600V CoolMOS™ G7 power MOSFETの主な特長およびメリット

主な特長

Best-in-class FOM R_DS(on) x E_oss and R_DS(on)x Q_G
最小フットプリントでクラス最高のR _DS(on)を実現
4端子ケルビンソース構成と低寄生ソースインダクタンス（約1nH）
MSL1対応、完全鉛フリー、外観検査が容易な凹み付きのリード
熱性能Rthの向上

主な利点

600V G7：従来製品の600V CoolMOS™ C7に比べFOM R _DS(on) x Q _Gが16%改善し、高効率化を実現
600V G7： 115 mm²のTOLLのフットプリントでクラス最良オン抵抗28mΩの電力密度
ケルビンソースを採用し寄生ソースインダクタンスを低減することで、スイッチングを効率化し扱いやすさを向上
扱いやすく最高の品質基準を満たしたTOLLパッケージを採用
熱性能が改善されたことで、SMD TOLLパッケージを従来よりも大電流の設計に使用可能

アプリケーション

新しい600V CoolMOS™ G7 テクノロジー

パラメータ	パッケージ	R _DS(on)(max) [mΩ]	Q _G (typ) [nC]	C _oss (typ) [pF]
競合製品A 600V	D²PAK	99	100	156
600V CoolMOS™ C7 Gold (G7)	TOLL	102	34	27
比較	30% footprint reduction	Similar R_DS(on) for comparison	66% lower than competitor	83% lower than competitor

600V CoolMOS™ G7 : TOリードレスパッケージ vs D²PAK

パラメータ	フットプリント[mm²]	R _DS(on)(max) [mΩ]	Source inductance [nH]	ケルビンソース機能
D²PAK	150	87*	5	No
TOLL	115	28	1	Yes
比較	30%のフットプリント削減	68%低いR_DS(on)	80%低いインダクタンス	ケルビンソースによる効率性と扱いやすさの面での利点