IPB65R041CFD7
概要
高速ボディダイオード内蔵650V CoolMOS™ CFD7スーパージャンクションMOSFETは、共振型の高出力ポロジーに最適
D2PAKパッケージのインフィニオン650V CoolMOS™ CFD7スーパージャンクションMOSFET IPB65R041CFD7は、サーバー、テレコム、ソーラー、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの共振トポロジーに最適で、競合製品に比べ大幅な効率改善が可能です。 CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減を実現し、最高の効率と電力密度、さらに50 Vの耐圧拡張を実現しました。
特長
- 超高速ボディダイオードで極めて低いQrrを実現
- 耐圧 650 V
- 競合品と比較してスイッチング損失を大幅に低減
- 温度によるRDS(on) 依存性が極めて低い
利点
- 優れたハードスイッチング耐性
- バス電圧の上昇に伴う設計の安全マージンを確保
- 電力密度の向上が可能
- 産業用SMPSアプリケーションにおける卓越した軽負荷効率
- 産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
- 市場の代替品よりも高い価格競争力
推奨アプリケーション例
トレーニング
品質
サポート
