IPDQ65R080CFD7

概要

高速ボディダイオード内蔵650V CoolMOS™ CFD7スーパージャンクションMOSFETは、共振型ハイパワートポロジーに最適

インフィニオンの650 V CoolMOS™ CFD7スーパージャンクションMOSFET IPDQ65R080CFD7、QDPAKパッケージは、サーバー、テレコム、ソーラー、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの共振トポロジーに最適で、競合製品と比較して大幅な効率向上を実現します。 CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減を実現し、最高の効率と電力密度、さらに50Vの耐圧増加を実現しています。

特長

  • 超高速ボディダイオードで極めて小さいQrrを実現
  • 650Vのブレークダウン電圧
  • 競合品と比較してスイッチング損失を大幅に低減
  • 温度によるRDS(on)依存性が極めて低い

利点

  • 優れたハードコミュテーション耐性
  • バス電圧の上昇に伴う設計の安全マージンを確保
  • 電力密度の向上が可能
  • 産業用SMPSアプリケーションにおける卓越した軽負荷効率
  • 産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
  • 市場の代替品よりも高い価格競争力

推奨アプリケーション例

ビデオ
Share
サポート