IPN60R1K5PFD7S
概要
SOT-223パッケージに封止された600V CoolMOS™ PFD7 スーパージャンクションMOSFET
本600V CoolMOS™ PFD7 スーパージャンクションMOSFET (IPN60R1K5PFD7S)は、民生機器用のCoolMOS™ 7の補完製品です。SOT-223パッケージに封止されたIPN60R1K5PFD7Sは、RDS(on)が1500mΩで低いスイッチング損失が特長です。600V CoolMOS™PFD7 SJ MOSFETには、堅牢なデバイスを保証する高速ボディダイオードが内蔵されており、お客様のBOMコストを削減します。業界をリードするインフィニオンのSMDパッケージを使用することにより、PCB面積をさらに削減し、製造を容易にします。
本製品ファミリは、超高電力密度と最高の効率設計向けに調整されています。 主に超高密度充電器、アダプター、低電力モータードライブに対応しています。600V CoolMOS™ PFD7は、CoolMOS™ P7およびCE MOSFETテクノロジーよりも、軽負荷および全負荷の効率を改善し、電力密度を1.8W/inch3増加します。
特長
- 極めて低い FOM RDS(on) x Eoss
- 堅牢な高速ボディダイオードを内蔵
- 最大2kVまでのESD保護
- 幅広いRDS(on) 値
- 優れた整流耐性
- 低EMI
- 幅広いパッケージラインアップ
利点
- スイッチング損失を最小化
- 最新のCoolMOS™充電器テクノロジーよりも高い電力密度
- 低消費電力アプリケーション向けCoolMOS™ CEテクノロジーに比べて、高い効率、優れた熱挙動
- BOMコスト削減、製造の容易化
- 堅牢性および信頼性
- 設計の微調整時に最適な製品を容易に選択可能
推奨アプリケーション例
ビデオ
トレーニング
品質
サポート
