IPT026N12NM6

概要

TO-Leadlessパッケージのノーマルレベル120 V OptiMOS™ 6 パワーMOSFET

本製品は、TO-Leadlessパッケージで、オン抵抗 2.6mΩのノーマルレベル120 V MOSFETです。

OptiMOS™ 3技術との比較:

RDS(on)が最大58%、FOMgが最大66%、Qrrが最大90%、FOMossが35%それぞれ向上しています。IPT026N12NM6は、インフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETファミリーの一製品です。

特長

  • きわめて低い低い逆回復電荷
  • 優れたゲート電荷 x RDS(on)
  • 高いアバランシェエネルギー定格
  • 175℃のジャンクション温度に対応
  • 鉛フリーの鉛めっき
  • RoHS対応、ハロゲンフリー

利点

  • 高効率
  • 高い電力密度
  • 堅牢で信頼性の高い性能
  • 広い動作マージン
  • 環境配慮型製品
サポート