IQE006NE2LM5

概要

業界トップレベルのRDS(on)を備えたPQFN 3.3×3.3ソースダウンパッケージのOptiMOS™ 25V低電圧パワーMOSFET

革新的なソースダウンOptiMOS™低電圧パワーMOSFET 25V（IQE006NE2LM5）は、PQFN3.3×3.3パッケージサイズで提供されるため、ドレインダウンソリューションと同じPCBで容易に使用できます。3.3×3.3mmの同じパッケージでは、新しいソースダウンは現在の標準RDS(on)を約30パーセント低減することによって業界標準RDS(on)を示しています。また、ソースダウンはフォームファクタの大幅な縮小を示しています。5×6mm SuperSO8と同じ性能をPQFN3.3×3.3で実現可能になっており、PCB面積をより効率的に使用できます。ソースダウンは電力損失の伝達も改善しますが、これは優れた温度管理を意味します。全体的には、新しい革新的なソースダウンテクノロジーは最終アプリケーションにおけるシステム効率と電力密度を向上させます。これは、特にドライブ、テレコム、SMPSおよびサーバで必要になります。

特長

  • 電圧クラスに応じて最大30パーセントのRDS(on) 低減
  • 優れた温度管理オプション
  • 最適化されたレイアウト可能性
  • 2つのフットプリントバージョンを利用可能

利点

  • 電流容量の向上
  • 最高の電力密度と性能
  • フォームファクタの縮小
  • より小さなパッケージでSuper SO8と同じ性能
  • 最適化されたPCB寄生容量
  • R thJAとR thJCの減少
  • 電力損失の伝達を改善
  • 両面冷却に対応（露出されたクリップ）
  • ソースダウンは既存のPCBで容易に適応可能
  • センターゲートオプションにより最適化された並列化が可能

推奨アプリケーション例

補完製品
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トレーニング
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Discover MOSFET package cooling concepts

Key takeaways:

  • Know the various MOSFET package cooling concepts
  • Understand how each type works
  • Be familiar with the pros and cons
  • Be aware of the applications where each sees benefit
  • Have knowledge of the products that Infineon offers for each concept

Introducing the innovative Source-Down package for improved thermal management

Infineon e-learning Source Down technology photo

Key takeaways:

  • Understand the Source-Down concept
  • Know the Source-Down package performance compared to a conventional Drain-Down
  • Get to know the key benefits of the Source-Down package and its value proposition
品質

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