OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 150 V
概要
ドライブおよびSMPSアプリケーションの性能にまったく新しいレベルを実現
OptiMOS™ 6 150 Vの新技術は、通信機器やサーバーのSMPSから、eフォークリフトやLEV、さらにはソーラーオプティマイザーや高出力USB充電器に至るまで、さまざまなアプリケーションの要件を満たすように設計されています。
業界最小のRDS(on)、スイッチング性能の向上、優れたEMI動作により、前世代のOptiMOS™ 5に比べて性能が大幅に向上し、比類のない効率、高い電力密度、高い信頼性を実現します。
- RDS(on)がOptiMOS™ 5に比べて最大で41%低減
- FOMgがOptiMOS™ 5に比べて20%低減
- FOMgdがOptiMOS™ 5に比べて17低減
- 150 Vクラスで業界最小のQrr
- OptiMOS™ 5に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が向上
- Vgs(th)のばらつきが小さく±500 mV
- 高いアバランシェ耐量
- 最大Tjは175℃、モイスチャーレベルMSL1
- ハードスイッチング、ソフトスイッチング共に低い導通損失およびスイッチング損失
- 優れたEMI性能とオーバーシュートの低減による安定動作
- 並列運転時の優れた電流分配
- 高い堅牢性
- 長寿命化、システムの信頼性向上
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