OptiMOS™ 7 15 V

インフィニオンは、最新OptiMOS™ 7技術を採用した業界初の15 VトレンチパワーMOSFETを発表しました。システムおよびアプリケーションに最適化された本技術は、サーバーおよびコンピューティング アプリケーションにおける低出力電圧のDC-DC変換を対象としています。

OptiMOS™ 5 25 Vに比べて、耐圧が増加しているため、R_DS(on)とFOMQ_g/FOMQ_OSSが大幅に低減されています。最高クラスの製品ラインアップには、柔軟で最適なPCB設計を可能にするスタンダードゲートとセンターゲートの２つのフットプリントの底面放熱および両面放熱のバリエーションがあるPQFN (3.3x3.3) ソースダウンパッケージと、強化クリップ付きPQFN 2x2パッケージがあります。後者はパルス電流500 A以上で、R_thJCは1.6K/Wです。ソースダウンパッケージとの組み合わせにより、伝導損失とスイッチング損失が低減されるため、熱管理が簡素化でき、電力密度と効率をさらに高いレベルへと向上させます。

本製品ファミリーは、高変換電圧比DC-DC変換など、データセンター向け配電アーキテクチャの新しいトレンドに飛躍的な進歩をもたらし、CO₂フットプリントを最小限に抑えながら、データコム、サーバー、人工知能アプリケーションのさらなる拡張を可能にします。