IMBG120R034M2H TO-263-7 (D2PAK-7L) パッケージの1200 V/34 mΩCoolSiC™ MOSFETディスクリートG2

概要

CoolSiC™ MOSFET G2ディスクリート 1200V、34mΩ G2 TO-263-7(D2PAK-7L)パッケージは、第1世代の技術が持つ強みを活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性のいソリューションのシステム設計を加速させられます。第２世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善されています。

特長

  • RDS(on) = 34 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C)
  • きわめて低いスイッチング損失
  • 過負荷時の最大温度 Tvj = 200°C
  • 短絡耐量 2 µs
  • 業界標準となる閾値電圧、VGS(th) = 4.2 V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • 0Vターンオフゲート電圧を印加可能
  • 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
  • .XT相互接合技術

利点

  • 高いエネルギー効率
  • 冷却の最適化
  • 高電力密度
  • 新しい堅牢性
  • 高い信頼性
図
サポート