IMBG120R350M1H

概要

TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFET

D2PAK-7L（TO-263-7）パッケージのCoolSiC™ 1200V、350mΩ SiC MOSFETは、高い性能と動作時の信頼性を実現するように最適化された最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。1200V用に最適化された新しいSMDパッケージにCoolSiCテクノロジーの低消費電力と.XT接続テクノロジーを組み合わせることにより、ドライブ、充電器、産業用電源などのアプリケーションで最高レベルの効率と冷パッシブ冷却性能を実現します。

特長

  • 非常に低いスイッチング損失
  • 短絡耐量時間、3µs
  • 完全に制御可能なdV/dt
  • 業界標準となるゲートしきい値電圧、VGS(th) = 4.5V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性、0Vターンオフゲート電圧を印加可能
  • 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
  • .XT接続テクノロジーによりクラス最高の熱性能
  • パッケージ沿面距離と空間距離、>6.1mm
  • 最適化されたスイッチング性能のためのセンスピン

利点

  • 効率向上
  • 高い周波数で動作可能
  • 電力密度の向上
  • 冷却の簡素化
  • システムの複雑度およびコストの低減
  • SMDパッケージによりPCBへ直接組み込み可能、ヒートシンク不要で自然空冷
図
ビデオ

Maintenance-free motor inverters with new CoolSiC™ MOSFETs for servo drives

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