IMBG65R083M1H
概要
コンパクトな表面実装(SMD) パッケージのSIC MOSFET
CoolSiC™ MOSFET技術は、SiC の強力な物理的特性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能が加えられています。IMBG65R083M1H 650 V CoolSiC™ MOSFETは、最先端のインフィニオンSiCトレンチ技術を使用して製造されており、中電力アプリケーションで使用される小型SMD 7ピンSiC MOSFETです。最大のシステム性能、小型化、信頼性を実現するために最適化されています。
特長
- 低 Qrr および低 Qoss
- 低スイッチング損失
- 堅牢な高速ボディダイオード
- 優れたゲート酸化膜の信頼性を備えた最先端トレンチ技術
- 最高クラスの放熱性を備えた.XT相互接合技術
- アバランシェ耐量の向上
- プリント基板に直接組み込むことができるSMDパッケージ
- スイッチング性能を最適化するケルビン端子
利点
- 高性能、高信頼性、高い使いやすさ
- 高いシステム効率および電力密度を実現
- システムのコストと複雑さを軽減
- より安く、よりシンプルで、より小さなシステムを実現
- 連続的なハードスイッチング トポロジーで機能
- 高温で過酷な運用に適合
- 双方向トポロジーに対応
推奨アプリケーション例
トレーニング
品質
サポート
