IMDQ75R008M1H

概要

新しいCoolSiC™ MOSFET 750 Vは、最高のシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです

CoolSiC™ MOSFET 750 Vは、インフィニオンの20年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、最高の効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。革新的な上面放熱パッケージは、CoolSiC™ 750 Vの強みをさらに強化し、より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストとアセンブリコストの削減を実現します。

特長

  • きわめて堅牢な750 Vテクノロジー
  • 最高クラスのRDS(on) x Qfr
  • 優れたRon x QossおよびRon x QG
  • 低 Crss/Cissと高Vgsthを両立
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • 最先端の上面放熱パッケージ

利点

  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高周波を実現
  • 高い信頼性
  • 500 V超のバス電圧に対応
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • ユニポーラ駆動
  • 最高クラスの放熱性

推奨アプリケーション例

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