IMW120R045M1

TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V、45mΩ のSiC MOSFETは、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されており、性能と信頼性を両立するよう最適化されています。SiC MOSFETには、IGBTやMOSFETなど従来のシリコン（Si）ベースのスイッチに比べ、多くの利点があります。これには1200Vスイッチで見られる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、転流に使用可能なボディダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン特性が含まれます。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ－、DC/DCコンバータまたはDC/ACインバータなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適です。