IMWH170R650M1

概要

TO247-3-HCCパッケージに搭載された CoolSiC™ MOSFET 1700 V、650 mΩは、さまざまな電力変換アプリケーションにおけるDCリンク電圧600 V~1000 Vのシングルエンド フライバック補助電源アプリケーションに適しています。主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、ゲートドライバーIC不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する.XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離および空間距離のパッケージが挙げられます。

特長

  • フライバックトポロジー向けに最適化
  • きわめて低いスイッチング損失
  • ゲートソース電圧　12 V / 0 V
  • フライバックコントローラーと互換性あり
  • ゲート閾値、VGS(th) = 4.5 V
  • .XT接合技術
  • 沿面距離/空間距離の長いパッケージ

利点

  • 補助電源向けの高い効率
  • 熱抵抗を低減することで出力を向上
  • 絶縁設計が容易なTO247パッケージ
  • ゲートドライバー不要
  • システムの複雑さを低減
  • 高電力密度
  • 過酷な動作環境における高い耐久性
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