IMZA120R020M1H
TO247-4 パッケージ搭載 120)V/20mΩ CoolSiC™ SiCトレンチMOSFET
TO247-4 パッケージ搭載のCoolSiC™ 1200V/20 mΩ SiC MOSFET は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。
TO247-4ピンパッケージに搭載されたインフィニオンのSiC MOSFET は、ゲート回路の寄生インダクタンスの効果を低減し、高速スイッチングと効率の向上を実現します。
特長
- クラス最高のスイッチング損失および導通損失
- ベンチマークとなる高い閾値電圧 Vth > 4 V
- 0 Vのゲートオフ電圧によりシンプルなゲート駆動が可能
- 広いゲート電圧範囲
- ハードスイッチングに対応した堅牢で低損失なボディダイオード定格
- ターンオフ損失の温度依存無し
- .XT 技術によるクラス最高の熱性能
利点
- 最高の効率
- 冷却の手間を省略
- 高周波数駆動
- 電力密度向上
- システムの複雑性を軽減
This training will introduce you to how the CoolSiC™ will help to design the next generation of servo drives.
If you want to be an expert of CoolSiC™ discretes and the .XT technology, watch this video!
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