IMZA120R030M1H TO247-4パッケージ搭載 1200V/ 30mΩ, CoolSiC™ MOSFET

TO-247-4パッケージ搭載1200V/ 30mΩ CoolSiC™ MOSFETは、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで作られています。SiC(炭化ケイ素) MOSFET は、IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベースのスイッチと比較して、一連の利点を提供します。これには、1200 Vスイッチで最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、転流に使用可能なボディダイオードの逆回復損失ゼロ、温度に依存しない低スイッチング損失、スレッショルドフリーのオン特性などが含まれます。CoolSiC™ MOSFETは、力率改善 (PFC) 回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバーターやDC/ACインバーターなどの、ハードスイッチングや共振スイッチングのトポロジーに最適です。

TO-247 4ピンパッケージに搭載されたインフィニオンのSiC MOSFETは、ゲート回路の寄生ソース インダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。