IMZA65R030M1H
概要
650 V CoolSiC™ MOSFET- 信頼性とコスト効率に優れた性能をTO247 4ピンパッケージで実現したSiC MOSFET
CoolSiC™ MOSFET技術は、炭化ケイ素 (SiC) の強力な物理的特性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。IMZA65R030M1H 650 V CoolSiC™ MOSFETは、最先端のトレンチ半導体を使用しており、アプリケーションにおける低損失と動作時の高信頼性の両立に妥協がないように最適化されています。
TO2474ピン パッケージに登載されたインフィニオンのSiC MOSFETは、ゲート回路の寄生ソース インダクタンス効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を可能にします。
特長
- 低容量
- 大電流でのスイッチング動作に最適化
- 逆回復電荷(Qrr)の少ない堅牢な転流ボディダイオード
- 優れたゲート酸化膜信頼性
- 優れた温度特性
- アバランシェ耐量の向上
- 標準ドライバーで動作
- ４ピンパッケージ
利点
- 高性能、高信頼性、使いやすさ
- 高いシステム効率
- システムのコストと複雑さを軽減
- システムサイズの縮小
- 連続的なハードコスイッチングのトポロジーで機能
- 高温で過酷な運用に適合
- 双方向のトポロジーに対応
推奨アプリケーション例
ビデオ
トレーニング
品質
サポート
