IMZC120R026M2H 長い沿面距離を持つTO-247 4 ピンパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET ディスクリート1200 V G2

概要

沿面距離の長いTO-247 4ピンパッケージに搭載された1200 V/26 mΩ CoolSiC™ MOSFET G2ディスクリートは、第1世代の技術がもつ強みを活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、設計が容易な、信頼性の高いシステム設計を実現します。本製品は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーの両方で主要特性が大幅に改善されています。

特長

  • RDS(on) = 26 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C時)
  • きわめて低いスイッチング損失
  • 広い最大VGS範囲: -10 V～+25 V
  • 最大過負荷動作: Tvj = 200°C
  • 短絡耐量時間 2 µs
  • 業界標準となる閾値電圧、VGS(th)=4.2 V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • .XT相互接合技術
  • ばらつきが小さいVGS(th) パラメータ分布

利点

  • 高いエネルギー効率
  • 冷却の最適化
  • 高電力密度
  • 新しい堅牢性
  • 高い信頼性
  • 容易な並列化
サポート