F4-11MR12W2M1H_B70 1200 V CoolSiC™ MOSFET M1H 4in1モジュール
概要
1200 V/11 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET M1H 4in1モジュール：NTCおよびPressFITピン搭載、窒化アルミニウム (AIN) セラミック採用
特長
- 高さ12.25 mm統一された最高クラスのパッケージ
- 最先端WBG材料とEasyPACK™ モジュールパッケージの組合せ
- きわめて低い浮遊インダクタンス
- 進化したCoolSiC™ MOSFET MH1技術
- ゲート駆動電圧範囲を拡大
- ゲートソース間電圧+23 V/-10 V
- 過負荷状態でのTvj.opが175℃まで向上
- PressFITピン
- NTC温度センサーを搭載
利点
- 卓越したモジュール効率
- システムコストの優位性を実現
- システム効率向上
- 冷却システムの小型化
- 高周波駆動
- 電力密度の向上
- DCB材料の熱伝導性の向上
図
ビデオ
パワーエレクトロニクスのお客様は、より高い温度や新しいアプリケーションに対応するため、高い信頼性を備えた最新の簡単な接合技術を必要としています。
トレーニング
このトレーニングでは、Siチップと比較してインバータの設計方法を変えるSiCの特性について説明します。また、インフィニオンが開発した信頼性試験を適用することで、SiC特有の劣化メカニズムや、これらの特殊な故障モードを考慮したアプリケーションでのSiCデバイスの生存を保証する方法について説明します。これらは、より良い品質、安全性、信頼性の高いデバイス性能を長年にわたって保証するために、SiCデバイスの認定に内部的に必須となっています。
電気自動車市場の拡大に伴い、業界では充電スタンドのの性能に対する要求がより厳しくなっています。
この e-ラーニングでは、CoolSiC™ MOSFET の出現による充電スタンド産業の変革による、EV 充電器の小型化、高速化、高効率化の実現をご紹介します。
このトレーニングでは、SiC MOSFETの基準となるゲート抵抗値の計算方法、ピーク電流と電力損失の要件に基づく適切なゲート駆動用ICの選定方法、およびワーストケース条件に基づくゲート抵抗値のラボ環境での微調整方法を学習します。
サポート
