FF3MR12KM1H
概要
1200 V/2.9 mΩ CoolSiC™ MOSFET G1 M1Hチップ技術を定評ある62 mmパッケージに搭載したハーフブリッジモジュール。熱伝導材料 (TIM) 事前塗布製品もあります。
特長
- 高電流密度
- 低スイッチング損失
- ゲート酸化膜の優れた信頼性
- 堅牢な内蔵ボディダイオード
- 宇宙線に対する高い堅牢性
- 高速スイッチング モジュール
- 対称モジュール設計
- 標準的な製造技術
利点
- 冷却の手間を最小限に
- 容積とサイズの削減
- システムコストの削減
- 高いチップ性能
図
サポート
