FF3MR20KM1H

概要

62 mm CoolSiC™ MOSFET 2000 V/2.6 mΩ G1 M1Hチップ技術搭載 62mm ハーフブリッジモジュール。熱伝導材料 (TIM) 事前塗布製品もあります。

特長

  • 高電流密度
  • 低スイッチング損失
  • ゲート酸化膜の優れた信頼性
  • 堅牢な内蔵ボディダイオード
  • 宇宙線に対する高い堅牢性
  • 高速スイッチング モジュール
  • 対称モジュール設計
  • 標準的な製造技術

利点

  • 冷却の手間を最小限に
  • 容積とサイズの削減
  • システムコストの削減
  • チップ性能の向上
図
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