FF3MR20KM1HP
概要
62 mm CoolSiC™ MOSFET 2000 V/2.6 mΩ G1 M1Hチップ技術搭載 62mmハーフブリッジモジュール。熱伝導材料 (TIM) 事前塗布済み。
特長
- 高電流密度
- 低スイッチング損失
- ゲート酸化膜の優れた信頼性
- 堅牢な内蔵ボディダイオード
- 宇宙線に対する高い堅牢性
- 高速スイッチング モジュール
- 対称モジュール設計
- 標準的な製造技術
利点
- 冷却の手間を最小限に
- 容積とサイズの削減
- システムコストの削減
- チップ性能の向上
図
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サポート
